【內(nèi)存的型號(hào)】

hy代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品 內(nèi)存芯片類型：(57=sdram，5d=ddrsdram)； 工作電壓：空白=5v，v=3.3v,u=2.5v 芯片容量和刷新速率：16=16mbits、4kref；64=64mbits、8kref；65=64mbits、4kref； 128=128mbits、8kref；129=128mbits、4kref；256=256mbits、16kref；257=256mbits、8kref 代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位 bank數(shù)量：1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)bank，是2的冪次關(guān)系 i/o界面：1:sstl_3、 2:sstl_2 芯片內(nèi)核版本：可以為空白或a、b、c、d等字母，越往后代表內(nèi)核越新 代表功耗：l=低功耗芯片，空白=普通芯片 內(nèi)存芯片封裝形式：jc=400milsoj，tc=400miltsop-ⅱ，td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-ⅱ 工作速度：55:183mhz、5:200mhz、45:222mhz、43:233mhz、4:250mhz、33:300nhz、l:ddr200、 h:ddr266b、 k:ddr266a 現(xiàn)代的mbga封裝的顆粒

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