一、N-MOS管和P-MOS管的對比
二、N-MOS的開關(guān)條件
N-MOS管的導(dǎo)通調(diào)節(jié)是G極與S極中間的電壓差超過閾值時(shí)，D極和S極導(dǎo)通 。
在實(shí)際的使用中，將控制信號接到G極，S極接在GND，從而達(dá)到控制N-MOS管的開和關(guān)的效果，在D極和S極導(dǎo)通后，導(dǎo)通電阻Rds(on)極小，一般是幾十毫歐級，電流流通后，形成的壓降很小 。
三、N-MOS的應(yīng)用
【場效應(yīng)管和mos管區(qū)別 常用mos管的工作原理】3.1 防止電源接反的保護(hù)電路
下面就是一個(gè)應(yīng)用這個(gè)特性做的一個(gè)防止電源接反的保護(hù)電路，這樣應(yīng)用要比使用二極管好很多，如果直接使用二極管，會有約0.7V的壓降 。
仿真電路如下：
N-MOS管作為防止電路反接方案中，VCC=5V的電源加在10K阻性負(fù)載上，電壓表、電流表分別測量，記錄值是5V、500uA；切換Key開關(guān)，模擬電源反接時(shí)，測得記錄值是-49.554mV、-4.955uA 。
3.2 電平轉(zhuǎn)換電路
Sig1，Sig2為兩個(gè)信號端，VDD和VCC分別是3.3V和5.0V電平信號的高電壓 。
另外限制條件為:
1，VDD <= VCC
2，Sig1的低電平門限大于0.7V左右(視NMOS內(nèi)的二極管壓降而定).
3，Vgs <= VDD
4，Vds <= VCC
以下截圖是在Multisim中仿真效果，利用開關(guān)提供信號 。
四、P-MOS開關(guān)條件
P-MOS管的導(dǎo)通調(diào)節(jié)是G極與S極中間的電壓差低于閾值時(shí)，S極和D極導(dǎo)通 。
在實(shí)際的使用中，將控制信號接到G極，S極接在VCC，從而達(dá)到控制P-MOS管的開和關(guān)的效果，在S極和D極導(dǎo)通后，導(dǎo)通電阻Rds(on)極小，一般是幾十毫歐級，電流流通后，形成的壓降很小 。
五、P-MOS的應(yīng)用
5.1 電源通斷控制
P-MOS管的通斷控制，其實(shí)就是控制其Vgs的電壓，從而達(dá)到控制電源的目的 。
Key開關(guān)閉合前，P-MOS管輸出電壓0.0164V，閉合后，P-MOS管輸出電壓5V 。
但在實(shí)際電路中，一般都用MCU的GPIO代替Key開關(guān)來控制，同時(shí)MCU高電平時(shí)3.3V，因此GPIO輸出控制信號時(shí)需要使用三極管，在這里三極管的選擇也有區(qū)別 。
有時(shí)候我們想要一個(gè)GPIO控制幾個(gè)信號時(shí)，這就考慮到電平匹配的問題 。
5.2 高電平控制電源導(dǎo)通，用一個(gè)NPN三極管
5.3 低電平控制電源導(dǎo)通，用一組PNP NPN三極管

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