將分割成單個電路的芯片，裝配到金屬引線框架或管座上 。芯片焊接工藝可分為兩類 。①低熔點合金焊接法：采用的焊接材料有金硅合金、金鎵合金、銦鉛銀合金、鉛錫銀合金等 。②粘合法:用低溫銀漿、銀泥、環氧樹脂或導電膠等以粘合方式焊接芯片 。
應用較廣、可靠性較高的是用98%的純金和 2%的硅配制成的金硅合金片（最低共熔點為 370℃） 。在氮氣和氫氣保護下或在真空狀態下，金硅合金不僅能與芯片硅材料形成合金，而且也能同時與金屬引線框架上局部鍍層的金或銀形成合金，從而獲得良好的歐姆接觸和牢固的焊接效果.
集成電路塑料封裝中,也常采用低溫(200℃以下)銀漿、銀泥或導電膠以粘合的形式進行芯片焊接 。另外，燒結時（即芯片粘完銀漿后烘焙），氣氛和溫度視所采用的銀漿種類不同而定 。低溫銀漿多在空氣中燒結，溫度為150～250℃；高溫銀漿采用氮氣保護，燒結溫度為380～400℃ 。

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